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LMG5200中文数据手册

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  简介【本站翻译】
  
LMG5200器件集成了80V 10A驱动器和GaN半桥功率级,采用增强模式氮化镓GaN FET提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个80V GaN FET,它们由采用半桥配置的同一高频GaN FET驱动器提供驱动。
  GaN FET在功率转换方面的优势显著,因为其反向恢复电荷几乎为零,输入电容CISS也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上,尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200器件采用6mm×8mm×2mm无铅封装,可轻松安装在PCB上。
  该器件的输入与TTL逻辑兼容,无论VCC电压如何,都能够承受高达12V的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaN FET的栅极电压处于安全的工作范围内。
  该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式GaN FET的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的应用而言,该器件堪称理想的解决方案。与TPS53632G控制器搭配使用时,LMG5200能够直接将48V电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。
  LMG5200半桥GaN功率级,具有高度集成的高端和低端栅极驱动器,其中包括内置UVLO保护电路和过压钳位电路。钳位电路限制了自举刷新操作,以确保高端栅极驱动器的过电压不超过5.4V。该器件在半桥配置中集成了两个15mΩ的GaN FET。该器件可用于许多隔离和非隔离拓扑结构,允许非常简单的集成。该封装的设计是为了最大限度地减少环路电感,同时保持PCB设计的简单。开启和关闭的驱动强度经过优化,以确保高电压回转率,而不会在栅极或电源回路上造成任何过度的振铃。

  特性
  • 集成15mΩ GaN FET和驱动器
  • 80V连续电压,100V脉冲电压额定值
  • 封装经过优化,可实现简单的PCB布局,无需考虑底层填料、爬电和余隙要求
  • 超低共源电感可确保实现高压摆率开关,同时在硬开关拓扑中不会造成过度振铃
  • 非常适合隔离式和非隔离式应用
  • 栅极驱动器支持高达10MHz的开关频率
  • 内部自举电源电压钳位可防止GaN FET过驱动
  • 电源轨欠压锁定保护
  • 优异的传输延迟(典型值为29.5ns)和匹配(典型值为2ns)
  • 低功耗

  应用
  • 宽VIN数兆赫兹同步降压转换器
  • D类音频放大器
  • 适用于电信、工业和企业计算的48V负载点 (POL)转换器
  • 高功率密度单相和三相电机驱动

  LMG5200功能框图
LMG5200功能框图

  LMG5200简化框图
LMG5200简化框图

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