电子博客LOGO 电子博客
首页 关于
广告1

LMG342xR050中文数据手册

  LMG342xR050中文数据手册由本站翻译,【点此下载
  LMG342xR050对应的官网英文版本,【点此下载

  简介【本站翻译】

  
德州仪器的LMG342xR050系列器件包含两个型号:LMG3422R050和LMG3425R050。

  LMG342xR050是一款集成了栅极驱动器的高性能功率GaN器件。该GaN器件具有零反向恢复和超低的输出电容,这使得基于桥接的拓扑结构具有很高的效率。直接驱动架构被应用于通过集成栅极驱动器直接控制GaN器件。与传统的级联方法相比,这种架构提供了卓越的开关性能,有助于解决GaN应用中的一些挑战。
  集成驱动器确保器件在高漏极压摆率下保持关闭状态。集成驱动器还可以保护GaN器件免受过流、短路、欠压和过温的影响。关于故障信号报告,LMG342xR050提供了不同的报告方法。更多细节请参考《故障检测》。集成驱动器还能够感知芯片温度,并通过调制的PWM信号发出温度信号。
  与Si MOSFET不同,GaN器件从源极到漏极没有p-n结,因此没有反向恢复电荷。然而,GaN器件从源极到漏极的传导仍然类似于p-n结体二极管,但电压降和传导损耗更高。因此,在LMG342xR050 GaN FET关闭时,必须尽量减少源极到漏极的传导时间。LMG3425R050中的理想二极管模式功能可自动将GaN_FET软开关开启边缘发生的源-漏传导损耗降至最低,这与最佳死区时间控制类似。

  LMG342xR050 GaN FET具有集成式驱动器和保护功能具有集成式驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。
  LMG342xR050集成了一个硅驱动器,可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在
可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间,这可用于主动控制EMI并优化开关性能。
  LMG3425R050包含理想二极管模式,该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET的温度通过可变占空比PWM输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和UVLO监控。

  特点
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 带集成栅极驱动器的600-VGaN-on-Si FET
   – 集成高精度栅极偏置电压
   – 200V/ns CMTI
   – 3.6MHz开关频率
   – 20V/ns至150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解EMI
   – 在7.5V至18V 电源下工作
  • 强大的保护
   – 响应时间少于100ns的逐周期过流和锁存短路保护
   – 硬开关时可承受720V浪涌
   – 针对内部过热和UVLO监控的自我保护
  • 高级电源管理
   – 数字温度 PWM 输出
   – 理想二极管模式可减少 LMG3425R050 中的第三象限损耗

  应用
  • 高密度工业电源
  • 光伏逆变器和工业电机驱动器
  • 不间断电源
  • 商用网络和服务器PSU
  • 商用电信整流器

  LMG342xR050框图
LMG342xR050框图

广告2
©2022至今 电子博客版权所有