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EPC23102中文数据手册

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  简介【本站翻译】
  ePowerTM 功率级IC产品系列集成了输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路以及eGaN输出FET。使用EPC专有的GaN IC技术实现集成,最终的结果是一个能将逻辑电平输入转化为高电压和高电流输出的功率级IC,它的尺寸更小,更容易制造,设计更简单且运行效率更高。
  EPC23102 ePowerTM 功率级IC集成了一个半桥栅极驱动器,内部有高端和低端FET。使用EPC专有的GaN IC技术实现集成。在一个芯片中集成了输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲器电路,用于控制配置为半桥功率级的高端和低端eGaN输出FET。从低端到高端通道可靠的电平转换器被设计成在软、硬开关条件下都能正常工作,即使在大的负钳位电压下也能避免快速dv/dt瞬态的错误触发,包括那些由外部源或其他相位驱动的瞬态。内部电路集成了逻辑电源和自举电源的充电和禁用功能。增加了保护功能,以保护输出FET在低电压或甚至完全失去电源电压的情况下不会开启。

  关键参数
  • 功率级负载电流 (1MHz):35A
  • 工作 PWM 频率(最低):5kHz
  • 工作 PWM 频率(最高):3MHz
  • 绝对最高输入电压:100V
  • 工作输入电压范围:80V
  • 标称偏置电源电压:5V
  • 封装形式:四方扁平无引线(QFN) 封装
  • 封装尺寸:3.5 x 5 mm

  特点
  • 集成了高端和低端的eGaN®FET,带有内部栅极驱动器和电平转换器
  • 5V外部偏置电源
  • 3.3V或5V CMOS输入逻辑电平
  • 独立的高端和低端控制输入
  • 当输入同时为高电平时,逻辑锁定命令关闭两个FET
  • 外部电阻器用于调整SW开关时间和高于母线和低于地的过电压尖峰
  • 可靠的电平转换器可在硬开关和软开关条件下运行
  • 免受速开关瞬态的误触发
  • 为高端自举电源同步充电
  • 禁用输入从V DRV 电源进入低静态电流模式
  • 低端V DD 电源的上电复位
  • 高端V BOOT 电源的欠压锁定
  • 在失去V DRV 电源的情况下,HS FET和LSFET的有源栅极下拉
  • 热增强的QFN封装,顶部裸露,从结点到顶部散热器的热阻很低

  应用
  • 降压、升压、降压-升压转换器
  • 半桥、全桥LLC转换器
  • 电机驱动逆变器
  • D类音频放大器

  EPC23102性能曲线图
EPC23102性能曲线图

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