电子博客LOGO 电子博客
首页 关于
广告1

EPC2152中文数据手册

  EPC2152中文数据手册由本站翻译,【点此下载
  EPC2152对应的官网英文版本,【点此下载

  简介【本站翻译】
  EPC2152是一款单芯片驱动器和eGaN®FET半桥功率级IC。采用EPC专有的GaNIC技术实现集成。输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路以及配置为半桥的eGaN输出FET都集成在一个单片芯片内。这使得芯片规模的LGA外形尺寸只有3.85mmx2.59mmx0.63mm。
  半桥拓扑结构中的两个eGaN输出FET被设计成具有相同的RDS(on) 。eGaN FET与片上栅极驱动缓冲器的集成实际上消除了公源极电感和栅极驱动环路电感的影响。LGA引脚布局使功率环路电感降至最低,这有利于优化布局技术。开关时间在内部被调整为1-2ns的上升和下降时间,在满负荷电流下从0V到48V。在硬开关转换过程中,过电压尖峰被控制在低于+10V的轨道之上和-10V的地之下。
  浮动自举电源的充电路径使用同步电路驱动的GaN FET进行集成。这消除了对带有相关反向恢复电荷的外部自举二极管的需要,这种电荷在高频开关时可能会导致显著的功率损失。这种同步自举充电电路还将自举充电路径中的电压降减到最低,以确保自举电源有足够的电压。从低端到高端通道可靠的电平转换器被设计成即使在大的负钳位电压下也能正常工作,并避免从驱动相内和其他相的快速dv/dt瞬变产生的错误触发。
  基于来自驱动输出 FET 的反馈对栅极驱动电压进行内部调节可确保安全的栅极电压电平,同时仍将输出场效应晶体管打开到低RDS(on) 状态。独立的高端和低端欠压锁定(UVLO)电路提供了额外的保护,以避免输出场效应管在高RDS(on) 状态下工作。
  EPC2152器件能够与使用标准3.3V或5VCMOS逻辑电平的数字控制器连接。独立的高端和低端逻辑控制输入允许外部控制器设置固定或自适应死区时间,以实现最佳的运行效率。

  特点
  • 独立的高端和低端控制输入
  • 输入信号与3.3V或5V CMOS逻辑电平兼容
  • 1至2ns开关时间
  • 控制开关节点的过电压尖峰
  • 可靠的电平转换器可用于硬开关和软开关条件
  • 不受驱动相和耦合相快速开关瞬变的误触发干扰
  • 高端自举电源的同步充电
  • 内部调节栅极驱动电压电平,以驱动输出FET
  • 高端和低端电源的欠压锁定

  应用
  • 降压和升压转换器
  • 半桥、全桥或LLC隔离式转换器
  • D类开关音频放大器
  • 单相和三相电机驱动逆变器

  EPC2152典型应用图
EPC2152典型应用图

  EPC2152性能曲线图
EPC2152性能曲线图

  相关文档:
  如何手动安装eGaN® FET或IC
  如何量产组装eGaN® FET或IC

广告2
©2022至今 电子博客版权所有