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CSD87330Q3D中文数据手册

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  简介【本站翻译】
  
CSD87330Q3D NexFET™功率模块是针对同步降压应用的优化设计,在3.3mm×3.3mm的小外形中提供大电流、高效率和高频率能力。该产品针对5V栅极驱动应用进行了优化,在与外部控制器/驱动器的任何5V栅极驱动配对时,提供了一个灵活的解决方案,能够提供高密度的功率。

  当今的许多高性能计算系统需要低功耗,以努力降低系统工作温度并提高整体系统效率。这就造成了对改善当今同步降压拓扑结构转换效率的重视。特别是,人们一直在强调改善该应用的功率级中的关键功率半导体的性能。因此,这些应用中的功率半导体的优化需要超越地降低RDS(ON)。
  CSD87330Q3D是TI功率模块产品系列的一部分,该系列是高度优化的产品,适用于需要大电流、高效率和高频率的同步降压拓扑结构。它采用了TI最新一代的硅片,该硅片已针对开关性能进行了优化,并将与QGD、QGS和QRR相关的损耗降至最低。此外,TI的专利封装技术几乎消除了控制FET与同步FET连接之间的寄生元件,从而最大限度地减少了损耗。TI的专利封装技术所解决的一个关键挑战是共源电感 (CSI) 的系统级影响。CSI极大地阻碍了任何MOSFET的开关特性,进而增加了开关损耗并降低了系统效率。

  特点
  • 半桥功率模块
  • VIN高达27V
  • 在15A时有90%的系统效率
  • 高达20A的工作电流
  • 高频运行(高达1.5MHz)
  • 高密度SON 3.3mm×3.3mm封装
  • 针对5V栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素
  • 无铅端子镀层

  应用
  • 同步降压转换器
   – 高频应用
   – 大电流、低占空比应用
  • 多相同步降压转换器
  • POL DC-DC转换器
  • IMVP, VRM和VRD应用

  CSD87330Q3D典型电路
CSD87330Q3D典型电路

  CSD87330Q3D典型的效率和功率损耗
CSD87330Q3D典型的效率和功率损耗

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