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UCC21520-Q1中文数据手册

  UCC21520-Q1中文数据手册由本站翻译,【点此下载
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  简介【本站翻译】
  UCC21520-Q1是一款隔离的双通道栅极驱动器,具有4A的拉电流和6A的灌电流峰值。它被设计用来驱动功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET,频率高达5MHz,具有同类最佳的传输延迟和脉宽失真。输入端通过一个5.7kV RMS 的强化隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)至少为100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许工作电压高达1500V DC 。
  该驱动器可被配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或具有可编程死区时间(DT)的半桥驱动器。当禁用引脚被设置为高电平时,会同时关闭两个输出,而当保持开路或接地时,则允许正常操作。作为一种防故障措施,初级侧逻辑故障会迫使两个输出为低电平。该器件可接受高达25V的VDD电源电压。从3V到18V的宽输入VCCI范围使该驱动器适用于与模拟和数字控制器的接口。所有的电源电压引脚都有欠压锁定(UVLO)保护。
  UCC21520-Q1是一款灵活的双栅极驱动器,可配置为适合各种电源和电机驱动拓扑结构,并可驱动几种类型的晶体管,包括SiC MOSFET。CC21520-Q1具有许多特性,使其能够很好地与控制电路集成,并保护其驱动的栅极,如:电阻可编程的死区时间(DT)控制,一个DISABLE引脚,以及输入和输出电压的欠压锁定(UVLO)。UCC21520-Q1还在输入端开路或输入脉冲不够宽时将其输出保持为低电平。驱动器输入是CMOS和TTL兼容的,可与数字和模拟电源控制器接口。每个通道由其各自的输入引脚(INA和INB)控制,允许完全和独立地控制每个输出。
  凭借所有这些先进特性,UCC21520-Q1在各种电源应用中实现了高效率、高功率密度和高可靠性。

  特点
  • 通过了汽车应用的认证
   – 器件温度等级1
   – 器件 HBM ESD 分类等级H2
   – 器件 CDM ESD 分类等级C6
  • 通用。双低端、双高端或半桥驱动器
  • 工作温度范围-40至+125°C
  • 开关参数:
   – 19ns 典型传输延迟
   – 10ns 最小脉冲宽度
   – 5ns 最大延时匹配
   – 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于100 V/ns
  • 浪涌抗扰度高达12.8 kV
  • 隔离栅寿命>40 年
  • 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
  • TTL和CMOS兼容输入
  • 3V至18V输入VCCI范围,可与数字和模拟控制器连接
  • 高达25V的VDD输出驱动电源
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 抑制小于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬变
  • 电源排序的快速禁用
  • 安全相关的认证:
   – 8000-VPK 加强隔离,符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01
   – 根据UL 1577,1分钟的5.7-kVRMS隔离度
   – 根据IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准的CSA认证
   – CQC 认证符合 GB4943.1-2011

  应用
  • HEV和BEV电池充电器
  • DC-DC 和 AC-DC 电源中的隔离转换器
  • 电机驱动和直流-交流太阳能逆变器
  • 不间断电源(UPS)

  UCC21520-Q1数据手册:简化的应用示意图
UCC21520-Q1简化的应用示意图

  UCC21520-Q1功能框图
UCC21520-Q1功能框图

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