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TPS28225中文数据手册

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  简介【本站翻译】
  TPS28225是一款适用于具有自适应死区时间控制的N通道互补驱动功率MOSFET的高速驱动器。该驱动器经过优化,可用于各种大电流单相和多相DC-DC转换器。TPS28225是一种提供高效率、小尺寸和低EMI辐射的解决方案。
  该效率是通过高达8.8V的栅极驱动电压、14ns自适应死区时间控制、14ns传输延迟以及高达2A的拉电流和4A的灌电流驱动能力来实现的。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗将功率MOSFET的栅极保持在其阈值以下,并确保在高dV/dt相位节点转换时没有直通电流。由内部二极管充电的自举电容器允许在半桥配置中使用N沟道MOSFET。

  TPS28225具有一个三态的PWM输入,与所有采用三态输出功能的多相控制器兼容。只要输入在250ns的保持时间内保持在三态窗口内,驱动器就会将两个输出切换为低电平。这种关断模式可防止负载出现反向输出电压。
  其他功能包括欠压锁定、热关断和双向启用/电源良好信号。没有三态特色控制器的系统可以使用使能/电源良好输入/输出,在关断期间保持两个输出为低电平。
  TPS28225采用经济型SOIC-8和热增强型小尺寸双扁平无引线(DFN-8)封装。该驱动器额定的扩展温度范围为-40°C至125°C,绝对最大结温为150°C。

  特点
  • 以14ns的自适应死区时间驱动两个N沟道MOSFET
  • 宽栅极驱动电压:4.5V至8.8V,在7V至8V时具有最佳效率
  • 宽电源系统输入电压:3V至27V
  • 宽输入PWM信号:2.0V至13.2V幅度
  • 能够以每相≥40A的电流驱动MOSFET
  • 高频操作:14ns传输延迟和10ns上升/下降时间允许FSW–2MHz
  • 能够传输<30ns的输入PWM脉冲
  • 低端驱动器灌入导通电阻 (0.4 Ω) 可防止与dV/dT相关的直通电流
  • 用于功率级关断的三态PWM输入
  • 节省空间的使能(输入)和电源良好(输出)信号在同一引脚上
  • 热关断
  • UVLO保护
  • 内部自举二极管
  • 经济型SOIC-8和热增强型3mmx3mm DFN-8封装
  • 流行的三态输入驱动器的高性能替代品

  应用
  • 具有模拟或数字控制的多相DC-DC转换器
  • 桌面和服务器VRM和EVRD
  • 便携式和笔记本电脑稳压器
  • 隔离电源的同步整流

  TPS28225功能框图
TPS28225能框图

  TPS28225简化示意图
TPS28225简化示意图

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