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ISO5851中文数据手册

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  简介【本站翻译】
  ISO5851是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kVRMS、强化隔离栅极驱动器,具有2.5A的拉电流和5A的灌电流。输入端在3V至5.5V的单一电源下工作。输出端允许最小15V到最大30V的电源范围。两个互补的CMOS输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns的短传输时间保证了对输出级的精确控制。
  内部去饱和(DESAT)故障检测可以识别IGBT是否处于过载状态。当DESAT检测到时,栅极驱动器输出被驱动为低电平至VEE2电位,使IGBT立即关闭。
  当去饱和激活时,一个故障信号被送过隔离屏障,将输入侧的FLT输出拉低并阻断隔离器输入。FLT输出条件被锁定,可以通过RST输入的低电平脉冲进行复位。

  ISO5851是一个用于IGBT和MOSFET的隔离栅极驱动器。输入CMOS逻辑和输出功率级被一个电容性的二氧化硅(SiO2)隔离栅隔开。
  输入侧的IO电路与微控制器接口,包括栅极驱动控制和RESET(RST)输入,READY(RTY)和FAULT(FLT)报警输出。功率级由功率晶体管组成,提供2.5A的上拉和5A的下拉电流,以驱动外部功率晶体管的电容性负载,以及DESAT检测电路,监测短路事件下IGBT集电极-发射极过电压。电容隔离核心由发送电路和接收电路组成,前者用于耦合跨越电容隔离栅的信号,后者用于将产生的低摆幅信号转换成CMOS电平。ISO5851还包含欠压锁定电路,以防止外部IGBT的栅极驱动不足,以及有源输出下拉功能,确保在没有输出电源电压的情况下,栅极驱动输出保持低电平。ISO5851还有一个有源米勒钳位功能,可用于防止外部功率晶体管因米勒效应而寄生导通,用于单极电源操
作。

  特点
  • 在 VCM = 1500V 时,最小共模瞬态抗扰度(CMTI) 为 100kV/μs
  • 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 短的传输延迟:76ns(典型值)、110ns(最大值)
  • 2A 有源米勒钳位
  • 输出短路钳位
  • 过饱和检测时的故障报警在FLT上发出信号并通过RST复位
  • 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定(UVLO)
  • 具有低电源或浮动输入的有源输出下拉和默认低输出
  • 3V 至 5.5V 输入电源电压
  • 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
  • CMOS 兼容输入
  • 抑制小于 20ns 的输入脉冲和噪声瞬变
  • 工作温度:–40°C 至 +125°C 环境温度
  • 隔离浪涌耐受电压 12800VPK
  • 安全相关认证:
   – 8000-VPK VIOTM 和 2121-VPK VIORM 加强隔离,符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V0884-10):2006-12标准
   – 根据 UL 1577,5700-VRMS 隔离 1 分钟
   –CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950–1 和 IEC60601–1 终端设备标准
   –符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 的 TUV 认证
   – GB4943.1-2011 CQC认证

  应用
  • 隔离式 IGBT 和 MOSFET 驱动:
   – 工业电机控制驱动器
   – 工业电源
   – 太阳能逆变器
   – HEV 和 EV 功率模块
   – 感应加热

  ISO5851数据手册:功能框图
ISO5851功能框图

  ISO5851典型的电机驱动应用
ISO5851典型的电机驱动应用

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