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DRV8300U中文数据手册

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  简介【本站翻译】
  DRV8300U是100V的三半桥栅极驱动器,能够驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成的自举二极管和外部电容为高端MOSFET产生正确的栅极驱动电压。GVDD用于为低端MOSFET产生栅极驱动电压。栅极驱动架构支持峰值高达750mA的拉电流和1.5A的灌电流。
  相位引脚SHx能够承受显著的负电压瞬变;而高端栅极驱动电源BSTx和GHx能够支持更高的正电压瞬变(125V)abs最大电压,从而提高系统的稳健性。小的传输延迟和延迟匹配规范将死区时间要求降至最低,从而进一步提高了效率。通过GVDD和BST欠压锁定为低端和高端提供欠压保护。

  DRV8300U系列器件是用于三相电机驱动应用的栅极驱动器。这些器件通过集成三个独立的半桥栅极驱动器和可选的自举二极管,减少了系统元件数量,节省了PCB空间和成本。
  DRV8300U支持外部N沟道高端和低端功率MOSFET,可以驱动750mA的拉电流、1.5A的峰值灌电流,合计平均输出电流为30mA。DRV8300U系列器件采用0.5毫米间距QFN和0.65毫米间距TSSOP表面贴片封装。24引脚封装的QFN尺寸为4×4毫米(0.5毫米引脚间距),20引脚封装的TSSOP主体尺寸为6.5×4.4毫米(0.65毫米引脚间距)。

  特点
  • 100V三相半桥栅极驱动器
   – 驱动N沟道MOSFET(NMOS)
   – 栅极驱动器电源(GVDD):5-20V
   – MOSFET电源(SHx)支持高达100 V
  • 集成自举二极管(DRV8300UD器件)
  • 支持反相和同相INLx输入
  • 自举栅极驱动架构
   – 750mA拉电流
   – 1.5A灌电流
  • 支持高达15S的电池供电应用
  • 更高的BSTUV(典型值8V)和GVDDUV(典型值7.6V)阈值,支持标准MOSFET
  • SHx引脚上的低漏电流(<55 µA)
  • 绝对最大BSTx电压高达125V
  • 支持SHx上高达-22V的负瞬态电压
  • 内置防交叉传导
  • 对于QFN封装的变体,可通过DT引脚调节死区时间
  • TSSOP封装的固定死区时间为200nS
  • 支持3.3V和5V逻辑输入,最大20VAbs
  • 4nS的典型传输延迟匹配
  • 紧凑型QFN和TSSOP封装
  • 使用电源模块的高效系统设计
  • 集成保护功能:
   – BST欠压锁定(BSTUV)
   – GVDD欠压(GVDDUV)

  应用
  • 电动自行车、电动滑板车和电动汽车
  • 风扇、泵和伺服驱动器
  • 无刷直流(BLDC)电机模块和PMSM
  • 无线花园和电动工具、割草机
  • 无绳吸尘器
  • 无人机、机器人和遥控玩具
  • 工业和物流机器人

  DRV8300U功能框图
DRV8300U功能框图

  DRV8300U数据手册:简化的应用示意图
DRV8300U简化的应用示意图
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