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20款热门MOSFET

用于开关应用的N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics的STB20N95K5是一款N沟道增强模式功率MOSFET。它具有超过950V的漏源击穿电压、高达30V的栅源电压和275mΩ的漏源导通电阻。该功率MOSFET具有高达17.5A的连续漏极电流和小于250W的功耗。它采用基于创新专有垂直结构的MDmesh K5技术设计,从而显著降低导通电阻和适用于需要卓越功率密度和高效率的应用的总栅极电荷。
80V N沟道沟道FET功率MOSFET
Vishay的SiJH800E是一款N沟道沟槽FET功率MOSFET。它具有超过80V的漏源击穿电压、高达+20V的栅源电压和1.2mΩ的漏源导通电阻。这款功率MOSFET的连续漏极电流高达299A,功耗低于333W。这款符合RoHS标准的MOSFET采用尺寸为7.9x8mm的通孔封装,是同步整流、Or-ing的理想选择、电机驱动控制、电池管理和电源应用。
80V N沟道增强型MOSFET
Infineon Technologies的IAUS300N08S5N012T是专为汽车应用而设计的N沟道增强模式MOSFET。它的栅源电压为20V,漏源电压为80V,漏源电阻为1.4毫欧。这款符合AEC-Q101标准的MOSFET具有300 A的漏极电流和小于375W 的功耗。它的栅极电荷为178nC,并采用通孔封装。
650V N沟道增强模式SiC功率MOSFET
Wolfspeed的C3M0120065J是N通道增强模式SiC功率MOSET。它具有超过650V的漏源击穿电压、高达650V的漏源电压和120mΩ的漏源导通电阻。该功率MOSFET具有高达21A的连续漏极电流和小于86W的功耗。它基于第三代SiC MOSFET技术,能够通过提高功率密度和系统开关频率提供更高的系统效率。该MOSFET具有高阻断电压和低导通电阻,并集成了具有低反向恢复电荷的快速本征二极管。
1200V N沟道增强模式SiC MOSFET
Cissoid的CXT-PLA3SA12340A是一种N沟道增强模式SiC MOSFET,非常适合电动汽车 (EV) 电机驱动、重型电机驱动、有源整流器和工业电机驱动应用。它具有超过1200V的漏源击穿电压和4.19mΩ的漏源导通电阻。这款功率MOSFET的栅极阈值电压为2.2V,连续漏极电流高达340A,脉冲漏极电流小于720A。它采用SiC技术实现了高效率、高功率密度和高可靠性和同时提供低开关损耗和高温结。MOSFET集成了一个栅极驱动器,提供去饱和保护、欠压锁定 (UVLO)、有源米勒钳位 (AMC) 和软关断关断 (SSD),以防止误操作和过压相关损坏。
600V N沟道增强型MOSFET
 Alpha and Omega Semiconductor的AONV110A60是N沟道增强模式功率MOSFET。这种单通道功率MOSFET的栅源电压为±20V,漏源电压为600V,漏源电阻小于0.11欧姆。它具有35A的连续漏极电流和140A的脉冲漏极电流。它具有72nC的栅极电荷和小于357W的功耗。该MOSFET基于专有的aMOS5技术,可提供低导通电流。具有优化开关参数的状态电阻,以实现更好的EMI性能。它由一个增强型体二极管组成,可提供稳健性和快速反向恢复。该功率MOSFET采用表面贴装封装,非常适合服务器、电信、工业、UPS和太阳能逆变器应用的PFC和PWM级(LLC、FSFB、TTF)。
30V N沟道增强型MOSFET
Infineon Technologies的ISK036N03LM5是一款N沟道增强模式功率MOSFET。它的栅源电压为±16V,栅阈值电压为1.2-2V。该MOSFET的漏源击穿电压超过30V,漏源电阻为2.4-4.6mΩ。它的功耗为2.1至11W。该MOSFET具有16.5-44A的连续漏极电流和174A的脉冲漏极电流。它具有出色的热阻和最低的漏源导通电阻。这款符合RoHS标准的MOSFET采用表面贴装封装,尺寸为2x2x0.65mm,非常适合充电器、消费类电器、服务器和电信电源、无人机和无线充电应用。
用于电池保护电路的双N沟道功率MOSFET
Toshiba的SSM10N954L是一款双N沟道功率MOSFET,专为电池保护电路而设计。它的源极-源极击穿电压超过12V,栅极阈值电压为1.4V,源极电阻为2.1-2.4毫欧。这种符合RoHS标准的MOSFET具有小于0.8W的功耗,并提供低源-源导通电阻。它采用尺寸为2.98x1.49x0.11mm的表面贴装封装。
650V N通道增强模式SiC MOSFET
Infineon Technologies的IMBG65R083M1H是一款N沟道增强模式SiC MOSFET。它的漏源击穿电压超过650V,漏源电阻为83mΩ,栅极阈值电压为4.5V。该MOSFET的连续漏极电流高达28A,功耗小于126W . 它的栅极电荷为19nC。该MOSFET基于最先进的英飞凌SiC沟槽技术构建,用于中等功率应用。它经过优化,可实现最大的系统性能、紧凑性和可靠性。该MOSFET适用于具有连续硬换向的双向拓扑,并与标准驱动器兼容。
用于负载开关的P沟道增强型MOSFET
ROHM Semiconductor的RQ5C030TP是一款P沟道增强模式MOSFET,适用于负载开关应用。它的漏源击穿电压为-20V,漏源电阻为75mΩ,栅极阈值电压为–2V。这种小信号MOSFET具有±3A的连续漏极电流和脉冲漏极±12A的电流。它的功耗小于1W。这款符合RoHS标准的MOSFET具有低导通电阻,并具有内置的GS保护二极管。它采用尺寸为2.9x2.8x1mm的表面贴装封装。
1200V N沟道增强模式SiC MOSFET
Infineon Technologies的IMW120R014M1H是一款N沟道增强模式SiC MOSFET。它的漏源击穿电压为1200V,漏源电阻为14mΩ,栅极阈值电压为4.2V。该MOSFET的连续漏极电流高达127A,功耗小于455W。它建立在最先进的英飞凌SiC沟槽技术之上,用于中等功率应用。该MOSFET经过优化,可实现最大的系统性能、紧凑性和可靠性。它适用于具有连续硬换向的双向拓扑,并与标准驱动器兼容。它采用通孔封装,非常适合通用驱动器 (GPD)、电动汽车充电、在线UPS、组串式逆变器和太阳能应用。
1200V N沟道增强模式SiC MOSFET
SemiQ的GCMX080B120S1-E1是一款N沟道增强模式SiC MOSFET,专为PFC升压转换器、DC-DC转换器初级开关和同步整流而设计。它具有超过1200V的漏源击穿电压和77毫欧的漏源电阻。该MOSFET具有2.8V的栅极阈值电压和小于142W的功耗。它具有30A的连续漏极电流和80A的脉冲漏极电流。MOSFET由碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成,提供最佳性能,而无需对硅器件进行任何权衡。它提供具有低开关损耗的高速开关操作,并提供简单的驱动机制。
1700V N沟道增强模式SiC MOSFET
Infineon Technologies的IMBF170R1K0M1是一款N沟道增强模式SiC MOSFET。它的漏源电压为1700V,漏源电阻为1000毫欧,栅极阈值电压为4.5V。该MOSFET的连续漏电流为5.2A,脉冲漏电流为13.3A。它基于采用单端反激式拓扑结构,并提供高效率,使其非常适合用于辅助电源。这种符合RoHS标准的MOSFET具有极低的开关损耗和完全可控的dv/dt,可用于EMI优化。它采用表面贴装封装,非常适合用于储能系统、快速EV充电、工业电机驱动和控制、电源管理 (SMPS) 、参考设计和太阳能系统应用解决方案。
40V N沟道增强模式MOSFET
Nexperia的PSMNR70-40SSH是N沟道增强型MOSFET。它的栅源电压为±20V,栅阈值电压为2.4-3.6V。该MOSFET的漏源击穿电压为40V,漏源电阻高达0.7毫欧。它具有375W的功耗和高达425A的连续漏极电流。它采用Nexperia的SchottkyPlus技术制造,具有高效率和低尖峰性能。这种雪崩额定MOSFET与肖特基二极管集成,具有低漏电流。它提供超快开关和软体二极管恢复功能,可实现低尖峰和振铃。该MOSFET采用表面贴装封装,尺寸为8x8mm,非常适合无刷直流电机控制、电池保护、电子保险丝和负载开关、热插拔/浪涌电流管理。
600V N沟道硅功率MOSFET
STMicroelectronics的STP60N043DM9是一款N沟道硅功率MOSFET,专为LLC谐振转换器、电源和转换器应用而设计。它是使用创新的超级结MDmesh DM9技术开发的。该技术适用于中/高压MOSFET,其单位面积的漏源电阻非常低,并配有快速恢复二极管。它具有±30V的栅源电压和高达4.5V的栅极阈值电压。该MOSFET具有600V的漏源击穿电压和43mΩ的漏源电阻。它具有245W的功耗和高达56A的连续漏极电流。该MOSFET由一个快速恢复二极管组成,可提供非常低的恢复电荷、恢复时间和漏源电阻。此特性使MOSFET可用于要求最严苛的高效电桥拓扑和ZVS相移转换器。它具有低栅极电荷、输入电容和电阻。该MOSFET以通孔封装形式提供。
600V N通道增强模式MOSFET
ROHM Semiconductor的R6077VNZ4是一款N沟道增强模式功率MOSFET。该功率MOSFET的漏源击穿电压超过600V,栅极阈值电压为5.5V,漏源电阻为42毫欧。它具有高达77A的连续漏极电流和小于231A的脉冲漏极电流。此MOSFET的功耗小于781W。它具有快速恢复时间、低通态电阻、快速开关速度,并且可以很容易地驱动电路。这款符合RoHS标准的MOSFET采用通孔封装,尺寸为15.64x40.42mm,非常适合用于高速开关应用。
用于开关应用的N沟道增强型MOSFET
STMicroelectronics的STP65N045M9是一款N沟道增强模式功率MOSFET。它的漏源击穿电压超过650V,栅源阈值电压为3.7V,漏源电阻小于45毫欧。这款功率MOSFET具有高达55A的连续漏极电流和170A的脉冲漏极电流。它的功耗小于245W。这款MOSFET采用了最具创新性的硅基超结MDmesh M9技术,通过多漏极制造工艺设计,从而提供增强的器件结构。它采用尺寸为10mmx28.90mm的通孔封装,是高效开关应用的理想选择。
1200V N通道增强模式SiC MOSFET
Hitachi的5SFG 0580B12000x是一款N沟道增强型SiC MOSFET,专为电动汽车应用而设计。该MOSFET的栅源电压为15V,栅阈值电压为2.4V。它的漏源击穿电压低于1200V,漏源导通电阻为2.9毫欧。这种SiC MOSFET具有高达580A的连续漏极电流和1160A的脉冲漏极电流。它由针翅结构组成,可提供最低的热阻和增强的液体冷却性能。这种SiC MOSFET具有最低的总杂散电感,从而实现高效的转换器设计。它使用非常简单和低电感的连接,仅使用一种模块类型就可以扩大逆变器的电流额定值。
用于稳压器应用的1200V N沟道SiC MOSFET
Toshiba的TW015N120C是一款N沟道增强模式SiC MOSFET,非常适合开关稳压器应用。它具有超过1200V的漏源击穿电压、高达5V的栅极阈值电压和小于20mΩ的漏源导通电阻。该功率MOSFET具有高达100A的连续漏极电流和小于431W的功耗。它基于东芝的第3代芯片设计,由内置的低正向电压的SiC肖特基势垒二极管组成。该MOSFET具有高阈值电压,以确保不易发生故障或过压相关损坏。它采用尺寸为15.94x41.02毫米的通孔封装。
用于开关稳压器应用的650V N沟道SiC MOSFET
Toshiba的TW015N65C是一款N沟道增强型SiC MOSFET,非常适合开关稳压器应用。它具有超过650V的漏源击穿电压、高达5V的栅极阈值电压和小于21mΩ的漏源导通电阻。该MOSFET具有高达100A的连续漏极电流和小于342W的功耗。它基于东芝的第三代芯片设计,集成了具有低正向电压的SiC基肖特基势垒二极管。这种SiC MOSFET具有高阈值电压,以确保不易发生故障或短路相关损坏。它采用尺寸为15.94x41.02毫米的通孔封装。
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